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描述：UV400 GaN基外延片測溫儀用于GaN基外延的晶圓表面溫度和反射率真實(shí)測量，溫度范圍650…1300℃
| 品牌 | Advanced Energy/優(yōu)儀 | 價(jià)格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應用領(lǐng)域 | 電子,交通,航天,汽車(chē),電氣 |
UV 400的前身TR 2100是*采用集成反射計(2001年)的高溫計，為使用光纖鏡頭和950 nm激光實(shí)時(shí)測量發(fā)射率建立了行業(yè)標準。藍寶石光管傳感器和實(shí)時(shí)的黑體校準源取得的研究進(jìn)展提供了完整的溫度測量解決方案。
UV 400和UVR 400系統是專(zhuān)門(mén)為GaN基MOCVD外延工藝開(kāi)發(fā)的下一代溫度傳感器。這些傳感器可以直接測量晶圓表面溫度，而非傳統的基座溫度。UVR 400較UV 400 增加了一個(gè)635 nm，0.5 kHz測量速度的反射率測量?jì)x，可測量沉積厚度.
這些系統正在為 LED 生產(chǎn)過(guò)程設定一個(gè)新的標準，其結果顯示工藝溫度和終產(chǎn)品波長(cháng)之間存在可靠的相關(guān)性.這種直接測量的方法可以更精確地控制晶片溫度，從而提高成品率
使用紫外波段直接測量GaN層溫度；
使用脈沖光源實(shí)時(shí)快速測量發(fā)射率；
使用真正的光計數儀器將測量中的噪聲降至低；
防止由于延遲采樣（無(wú)快門(mén)打開(kāi)和關(guān)閉）而造成的數據偏差
測溫范圍：650 至 1300℃
重復精度 0.01 °C (see TN-828)
GaN 基 MOCVD 外延工藝
| 測量參數 | |
溫度范圍: | 650 至 1300°C |
子溫度區間: | 溫度范圍內任意可調，小跨度 51°C |
響應波長(cháng): | 383 至 410 nm |
探測器: | 光電倍增管, 暗計數范圍小于原始值的 1% @ 650°C |
兩次測量之間的等待時(shí)間: | 少于 1 μs |
分辨率: | 軟件顯示0.1℃； |
發(fā)射率 ε: | 0.100 至 1.000 調整步幅 0.001 |
透射率 τ: | 0.100 至 1.000 調整步幅 0.001 |
積分時(shí)間; | 少8ms |
測量不確定度: | 小于 1000°C, 3°C; |
| 重復性: (ε = 1, t90 = 1 s, Thous. = 28°C) | 0.1% 或 0.1°C |
| 電參數 | |
| 功耗: | 大5W |
| 負載（模擬輸出）: | 0 至 500 ? |
| 隔離: | 電源，模擬輸出，數字接口彼此隔離 |
| 環(huán)境參數 | |
| 防護等級: | IP 40 IEC 60529 |
| 真空和氣體: | 設備可承受氮氣和真空（低于10 mbar），外殼有氣孔 |
| 安裝位置: | 任意 |
| 環(huán)境溫度: | 10 至 38 °C |
| 存儲溫度: | -20 至 50 °C |
| 相對濕度: | 非凝露 |
| 重量: | 2.5 kg |
| 外殼: | 發(fā)黑氧化鋁 |
| CE 認證: | 根據歐盟有關(guān)電磁抗擾度的指令 |
| 接口 | |
模擬輸出: | 0 到 20 mA 或 4 到 20 mA, 線(xiàn)性 |
| 數字輸出: | RS485可尋址（半雙工） 波特率：1200 至 38400 |
| 大值存儲: | 內置單存儲器或雙存儲器 tclear 可調(off; 0.01 s; 0.05 s; 0.25 s; 1 s; 5 s; 25 s), |
| 反射率測試（僅 UVR400） | |
| 測試范圍: | 0 至 100% |
| 速率: | 1000 Hz |
| 光源: | 激光二極管 |
| 測量波長(cháng) | 635 nm ±5 nm |
| 測量不確定度: | 測量范圍的 2% |
| 重復精度: | 測量范圍的 5% |
| 晶圓片允許傾斜公差: | 0.3° |
| 鏡頭工作距離 a: | 100mm |
| 模擬輸出: | 0到20 mA 或 4到20 mA ;可切換 |
| 負載: | 0 到 500 Ohm |
UV400 GaN基外延片測溫儀
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