碳化硅（SiC）單晶爐的長(cháng)晶方式（晶體制備方法）主要包括物理氣相傳輸（Physical Vapor Transport, PVT）、高溫化學(xué)氣相積淀（HTCVD）及液相外延（LPE）。

1. 物理氣相傳輸（PVT）

PVT工藝概述：

- 加熱模式： 電感加熱和電阻加熱。

- 溫度控制： 2400℃左右。

- 溫度測量方法： 高溫計通過(guò)石英窗口、保溫層通孔測試坩堝底部或頂部的溫度。

- 溫度測量點(diǎn)： 上測溫、下測溫、或上下測溫。

PVT溫度監測細節：

- 上測溫： 在坩堝頂部安裝高溫計，監測頂部溫度，適用于檢測晶體生長(cháng)區域的溫度。

- 下測溫： 在坩堝底部安裝高溫計，監測底部溫度，主要用于控制坩堝內材料的均勻加熱。

- 上下測溫： 同時(shí)在坩堝頂部和底部安裝高溫計，實(shí)現對坩堝內溫度的監測和精確控制。

2. 高溫化學(xué)氣相積淀（HTCVD）

HTCVD工藝概述：

- 技術(shù)挑戰： 沉積溫度控制。

- 溫度測量方法： 需要在高溫條件下精確測量氣相中的溫度，以確保晶體生長(cháng)的純度和速率。

- 溫度監測設備： 高溫計與熱電偶組合，可能需要多點(diǎn)溫度測量。

HTCVD溫度監測細節：

- 多點(diǎn)溫度測量： 使用多個(gè)高溫計和熱電偶，監測氣相積淀反應區不同位置的溫度，確保溫度場(chǎng)的均勻性。

- 溫度控制系統： 結合反饋控制系統，根據實(shí)時(shí)溫度數據調整加熱功率，確保溫度的穩定性和精確性。

3. 液相外延（LPE）

LPE工藝概述：

- 技術(shù)挑戰： 生長(cháng)速率和結晶質(zhì)量的平衡。

- 溫度測量方法： 需要精確監測液相中的溫度，以控制晶體生長(cháng)的速率和質(zhì)量。

- 溫度監測設備： 高溫計和熱電偶。

LPE溫度監測細節：

- 液相溫度測量： 在液相外延反應區設置高溫計，監測液相中的溫度變化。

- 溫度均勻性監測： 在液相中設置多個(gè)測溫點(diǎn)，確保整個(gè)液相區域溫度的一致性。

- 反饋控制： 使用實(shí)時(shí)溫度數據，結合控制系統調整加熱功率和冷卻速率，實(shí)現精確溫度控制。

編輯搜圖

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紅外高溫計推薦型號

由于設備結構限制，推薦使用帶有視頻瞄準的高溫計。以下是推薦型號：

- IMPAC ISR 6：1000~3000℃，雙色，高溫，小光斑。

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碳化硅長(cháng)晶工藝中的溫度監測方案至關(guān)重要，不同工藝方法需要采用不同的溫度測量和控制策略。PVT法通過(guò)上下測溫高溫計實(shí)現坩堝溫度的精確控制；HTCVD法通過(guò)多點(diǎn)溫度測量和反饋控制系統確保沉積溫度的穩定；LPE法則通過(guò)多點(diǎn)測溫和均勻性監測實(shí)現液相外延的高質(zhì)量生長(cháng)。結合高溫計和熱電偶等測溫設備，配合精密的控制系統，可以有效提高SiC晶體的質(zhì)量和長(cháng)晶效率。